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IRG4PSH71KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES = 1200V VCE(on) typ. = 2.97V @VGE = 15V, IC = 42A Features • Hole-less clip/pressure mount package compatible with TO-247 and TO-264, with reinforced pins • High short circuit rating IGBTs, optimized for motorcontrol • Minimum switching losses combined with low conduction losses • Tigh

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IRG4PSH71KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4PSH71KDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4PSH71KDPBF

Package:TO-274AA;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 78A SUPER247

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4PSH71KDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.9V @ 15V,42A

  • 开关能量:

    5.68mJ(开),3.23mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    67ns/230ns

  • 测试条件:

    800V,42A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-274AA

  • 供应商器件封装:

    SUPER-247™(TO-274AA)

  • 描述:

    IGBT 1200V 78A SUPER247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRG4PSH71KDPBF供应商 更新时间2025-11-19 16:29:00