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IRG4PH40UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIDDE

Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ult

IRF

International Rectifier

IRG4PH40UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4PH40UDPBF

Package:TO-247-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 41A 160W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IRG4PH40UDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4PH40UPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4PH40UPBF

UltraFastSpeedIGBT

Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations •Optimizedforpowerconversion;SMPS,UPS and

IRF

International Rectifier

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4PH40UDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.1V @ 15V,21A

  • 开关能量:

    1.8mJ(开),1.93mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    46ns/97ns

  • 测试条件:

    800V,21A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 41A 160W TO247AC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
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保证进口原装现货假一赔十
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TO-247
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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TO-3P
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INFINEON/IR
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NA
700
20年老字号,原装优势长期供货
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Infineon(英飞凌)
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原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持
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INFINEON/英飞凌
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更多IRG4PH40UDPBF供应商 更新时间2025-6-20 17:13:00