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IRG4PC50FPBF

Fast Speed IGBT - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件:304.68 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRG4PC50FPBF

IGBT

DESCRIPTION · Low Gate Drive Requirement · High Current Handling Capability · Short Circuit Capability · High Power Density APPLICATIONS · Power Inverters · Motor Drives · UPS,PFC · High Voltage Auxiliaries

文件:327.62 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRG4PC50FPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件:313.65 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRG4PC50FPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件:313.65 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRG4PC50FPBF

Package:TO-247-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 70A 200W TO247AC

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4PC50FPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 15V,39A

  • 开关能量:

    370µJ(开),2.1mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    31ns/240ns

  • 测试条件:

    480V,39A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 600V 70A 200W TO247AC

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更多IRG4PC50FPBF供应商 更新时间2025-12-1 19:20:00