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IRG4PC50SPBF	文件：982.79 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR VCES = 600V VCE(on) typ. = 1.28V @VGE = 15V, IC = 41A Features • Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies ( 文件：982.79 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50SPBF	文件：983.75 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：983.75 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50SPBF_15	文件：983.75 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：983.75 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 70A 200W TO247AC	Infineon 英飞凌	Infineon

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