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IRG4PC50SPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
IRG4PC50SPBF规格书详情
VCES = 600V
VCE(on) typ. = 1.28V
@VGE = 15V, IC = 41A
特性 Features
• Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies ( < 1kHz)
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
• Industry standard TO-247AC package
• Lead-Free
Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
• IGBTs optimized for specified application conditions
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs
产品属性
- 产品编号：
IRG4PC50SPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.36V @ 15V，41A
- 开关能量：
720µJ（开），8.27mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
33ns/650ns
- 测试条件：
480V，41A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AC
- 描述：
IGBT 600V 70A 200W TO247AC
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