IRG4PC50KD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号	IRG4PC50KD
参数属性	IRG4PC50KD 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 52A 200W TO247AC
功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A)
封装外壳	TO-247-3
文件大小	374 Kbytes
页面数量	10 页
生产厂商	IRF
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更新时间	2025-10-11 13:40:00
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

特性 Features

●Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz, and Short Circuit Rated to 10µs @125°C, VGE= 15V

●Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3

●IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

●Industry standard TO-247AC package

Benefits

●Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available

●HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing

●Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

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