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IRG4PC50KD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG4PC50KD |
| 参数属性 | IRG4PC50KD 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 52A 200W TO247AC |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A) |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
374 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF |
| 中文名称 | International Rectifier官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-14 22:30:00 |
| 人工找货 | IRG4PC50KD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4PC50KD规格书详情
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Short Circuit Rated UltraFast IGBT
Features
●Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz, and Short Circuit Rated to 10µs @125°C, VGE= 15V
●Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
●IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
●Industry standard TO-247AC package
Benefits
●Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available
●HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing
●Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs
产品属性
- 产品编号：
IRG4PC50KDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，30A
- 开关能量：
1.61mJ（开），840µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
63ns/150ns
- 测试条件：
480V，30A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AC
- 描述：
IGBT 600V 52A 200W TO247AC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
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