IRG4PC50K分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG4PC50K |
| 参数属性 | IRG4PC50K 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 52A 200W TO247AC |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A) |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
115.6 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-10 23:01:00 |
| 人工找货 | IRG4PC50K价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4PC50K规格书详情
特性 Features
• High short circuit rating optimized for motor control,
tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C,VGE = 15V
• Combines low conduction losses with high switching speed
• Latest generation design provides tighter parameter distribution
and higher efficiency than previous generations
Benefits
• As a Freewheeling Diode we recommend our HEXFRED™ ultrafast,
ultrasoft recovery diodes for minimum EMI / Noise
and switching losses in the Diode and IGBT
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible
• This part replaces the IRGPC50K and IRGPC50M devices
产品属性
- 产品编号：
IRG4PC50K
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，30A
- 开关能量：
490µJ（开），680µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
38ns/160ns
- 测试条件：
480V，30A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AC
- 描述：
IGBT 600V 52A 200W TO247AC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
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