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IRG4PC50K	文件：115.6 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A) Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C,VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generat 文件：115.6 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50KD	文件：374 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features ●Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz, and Short Circuit Rated to 10µs @125°C, VGE= 15V ●Generation 4 IGBT design provides tigh 文件：374 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50KDPBF	文件：650.34 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operation frequencies > 5.0 kHz, and Short Circuit Rated to 10μs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFRE 文件：650.34 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50KPBF	文件：239.98 Kbytes Page：8 Pages	Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C,VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generati 文件：239.98 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50KDPBF	文件：651.3 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：651.3 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50KDPBF_15	文件：651.3 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：651.3 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50KPBF	文件：276.86 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：276.86 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50KPBF_15	文件：276.86 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：276.86 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50K	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V UltraFast 8-25 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PC50K	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 52A 200W TO247AC	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4PC50K
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，30A
开关能量：
490µJ（开），680µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
38ns/160ns
测试条件：
480V，30A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 600V 52A 200W TO247AC

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