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IRG4PC50K	文件：115.6 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanpreviousgenerat	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50K	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 52A 200W TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4PC50KD	文件：374 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A) INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ●ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V ●Generation4IGBTdesignprovidestigh	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50KDPBF	文件：650.34 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhigh operationfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRated to10μs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFRE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50KPBF	文件：239.98 Kbytes Page：8 Pages	Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanpreviousgenerati	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50KDPBF	文件：651.3 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50KDPBF_15	文件：651.3 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50KPBF	文件：276.86 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50KPBF_15	文件：276.86 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50KDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 52A 200W TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4PC50K
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，30A
开关能量：
490µJ（开），680µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
38ns/160ns
测试条件：
480V，30A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 600V 52A 200W TO247AC

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