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IRG4BC30KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast 1GBT

Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packag

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IRF

IRG4BC30KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4BC30KDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRG4BC30KDPBF

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 28A 100W TO220AB

INFINEON

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4BC30KDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,16A

  • 开关能量:

    600µJ(开),580µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    60ns/160ns

  • 测试条件:

    480V,16A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 28A 100W TO220AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
26+
TO-220
20540
保证进口原装现货假一赔十
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TO-220
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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20年老字号,原装优势长期供货
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更多IRG4BC30KDPBF供应商 更新时间2026-10-10 14:01:00