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IRG4IBC30UDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • 2.5kV, 60s insulation voltage • 4.8 mm creapage distance to heatsink • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes • Tighte 文件：322.4 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | |
IRG4IBC30UDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：324.48 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：324.48 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
IRG4IBC30UDPBF | Package：TO-220-3 整包；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 17A 45W TO220FP | Infineon 英飞凌 | Infineon |
产品属性
- 产品编号：
IRG4IBC30UDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，12A
- 开关能量：
380µJ（开），160µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
40ns/91ns
- 测试条件：
480V，12A，23 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220AB 整包
- 描述：
IGBT 600V 17A 45W TO220FP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
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IR |
24+ |
TO-220-3 |
806 |
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IR |
17+ |
TO-220 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3535 |
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International Rectifier |
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Infineon |
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IR |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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INFINEON/英飞凌 |
2447 |
SMD |
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IR |
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TO-220 |
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INFINEON |
25+ |
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