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IRG4PC30UDPBF	文件：381.67 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30UDPBF	文件：390.82 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30UDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 23A 100W TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4PC30UDPBF_15	文件：390.82 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30UPBF	文件：274.59 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30UPBF	文件：273.62 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORUltraFastSpeedIGBT UltraFastSpeedIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Genera	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30W	文件：123.28 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.70V,@Vge=15V,Ic=12A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesignandc	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30WPBF	文件：255.35 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30WPBF	文件：254.39 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesignandc	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4PC30UDPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，12A
开关能量：
380µJ（开），160µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
40ns/91ns
测试条件：
480V，12A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 600V 23A 100W TO247AC

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