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IRG4IBC30WPBF	文件：254.84 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePower SupplyandPFC(powerfactorcorrection) applications •2.5kV,60sinsulationvoltage •ndustry-benchmarkswitchinglossesimprove efficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconduction	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30WPBF	文件：263.95 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30WPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 17A 45W TO220FP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4IBC30WPBF_15	文件：263.95 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30F	文件：223.94 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •VeryLow1.59Vvotagedrop •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecovery	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30FD	文件：223.94 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •VeryLow1.59Vvotagedrop •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecovery	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30KD	文件：195.54 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30KDPBF	文件：339.04 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTTECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30KDPBF	文件：347.66 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Highswitchingspeedoptimizedforupto25kHz withlowVCE(on) •ShortCircuitRating10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30S	文件：126.17 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4IBC30WPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，12A
开关能量：
130µJ（开），130µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/99ns
测试条件：
480V，12A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220AB 整包
描述：
IGBT 600V 17A 45W TO220FP

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更多IRG4IBC30WPBF供应商更新时间2025-5-29 11:03:00

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