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IRG4IBC30WPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

IRG4IBC30WPBF

参数属性

IRG4IBC30WPBF 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 17A 45W TO220FP

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

254.84 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

IRF

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-11 17:17:00

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IRG4IBC30WPBF规格书详情

特性 Features

• Designed expressly for Switch-Mode Power

Supply and PFC (power factor correction)

applications

• 2.5kV, 60s insulation voltage

• ndustry-benchmark switching losses improve

efficiency of all power supply topologies

• 50 reduction of Eoff parameter

• Low IGBT conduction losses

• Latest-generation IGBT design and construction offers

tighter parameters distribution, exceptional reliability

• Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM

outline

• Lead-Free

Benefits

• Lower switching losses allow more cost-effective

operation than power MOSFETs up to 150 kHz

(hard switched mode)

• Of particular benefit to single-ended converters and

boost PFC topologies 150W and higher

• Low conduction losses and minimal minority-carrier

recombination make these an excellent option for

resonant mode switching as well (up to >>300 kHz)

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4IBC30WPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    130µJ(开),130µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/99ns

  • 测试条件:

    480V,12A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB 整包

  • 描述:

    IGBT 600V 17A 45W TO220FP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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