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IRG4IBC30KD中文资料PDF规格书

IRG4IBC30KD
厂商型号

IRG4IBC30KD

参数属性

IRG4IBC30KD 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 17A 45W TO220FP

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

195.54 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-1 20:27:00

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4IBC30KD

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,16A

  • 开关能量:

    600µJ(开),580µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    60ns/160ns

  • 测试条件:

    480V,16A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    PG-TO220-FP

  • 描述:

    IGBT 600V 17A 45W TO220FP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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