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IRG4IBC20KD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRG4IBC20KD
厂商型号

IRG4IBC20KD

参数属性

IRG4IBC20KD 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

199.67 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-1 11:12:00

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IRG4IBC20KD规格书详情

Features

• High switching speed optimized for up to 25kHz

with low VCE(on)

• Short Circuit Rating 10µs @ 125°C, VGE = 15V

• Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

previous generation

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in

bridge configurations

• Industry standard TO-220 FULLPAK

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available

maximizing the power density of the system

• IGBTs optimized for specific application conditions

• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.

Minimized recovery characteristics reduce noise EMI

• Designed to exceed the power handling capability of

equivalent industry-standard IGBTs

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4IBC20KD

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,9A

  • 开关能量:

    340µJ(开),300µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    54ns/180ns

  • 测试条件:

    480V,9A,50 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    PG-TO220-FP

  • 描述:

    IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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