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IRG4IBC20KD	文件：199.67 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • High switching speed optimized for up to 25kHz with low VCE(on) • Short Circuit Rating 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, 文件：199.67 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4IBC20KDPBF	文件：278.29 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • High switching speed optimized for up to 25kHz with low VCE(on) • Short Circuit Rating 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, 文件：278.29 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4IBC20KDPBF	文件：349.21 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：349.21 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4IBC20KDPBF_15	文件：349.21 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：349.21 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4IBC20KD	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 超快 8-25 kHz Copack IGBT，采用 TO-220 FullPak 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4IBC20KD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4IBC20KDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4IBC20KD
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，9A
开关能量：
340µJ（开），300µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
54ns/180ns
测试条件：
480V，9A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
PG-TO220-FP
描述：
IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRG4IBC20KD供应商更新时间2025-11-21 19:10:00

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