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IRG4IBC20KD	文件：199.67 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •Highswitchingspeedoptimizedforupto25kHz withlowVCE(on) •ShortCircuitRating10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC20KD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4IBC20KDPBF	文件：278.29 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •Highswitchingspeedoptimizedforupto25kHz withlowVCE(on) •ShortCircuitRating10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC20KDPBF	文件：349.21 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC20KDPBF_15	文件：349.21 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC20KDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4IBC20UD	文件：230.8 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecoveryantiparalleldiodes •Tighte	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC20UDPBF	文件：312.3 Kbytes Page：10 Pages	2.5kV,60sinsulationvoltage	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC20UDPBF	文件：313.42 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecoveryantiparalleldiodes •Tighte	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC20W	文件：154.11 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePower SupplyandPFC(powerfactorcorrection) applications •2.5kV,60sinsulationvoltage •Industry-benchmarkswitchinglossesimprove efficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconduction	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4IBC20KD
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，9A
开关能量：
340µJ（开），300µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
54ns/180ns
测试条件：
480V，9A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
PG-TO220-FP
描述：
IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP

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