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IRG4IBC20FDPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG4IBC20FDPBF |
| 参数属性 | IRG4IBC20FDPBF 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
305.39 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-11 19:20:00 |
| 人工找货 | IRG4IBC20FDPBF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4IBC20FDPBF规格书详情
特性 Features
• Very Low 1.66V votage drop
• 2.5kV, 60s insulation voltage
• 4.8 mm creapage distance to heatsink
• Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes
• Tighter parameter distribution
• Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM outline
• Lead-Free
Benefits
• Simplified assembly
• Highest efficiency and power density
• HEXFREDTM antiparallel Diode minimizes switching losses and EMI
产品属性
- 产品编号：
IRG4IBC20FDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，9A
- 开关能量：
250µJ（开），640µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
43ns/240ns
- 测试条件：
480V，9A，50 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220AB 整包
- 描述：
IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/IR |
1907+ |
NA |
2500 |
20年老字号,原装优势长期供货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO220AB FullPak |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
IR |
2018+ |
26976 |
代理原装现货/特价热卖! |
询价 | |||
Infineon |
NA |
16355 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
TO-220FP |
8000 |
只做原装支持实单,有单必成。 |
询价 | ||
INFINEON/IR |
24+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 | ||
IR原装 |
25+23+ |
TO-220 |
23774 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220-3 |
373 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 |
