首页>IRG4IBC20FDPBF>规格书详情

IRG4IBC20FDPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRG4IBC20FDPBF
厂商型号

IRG4IBC20FDPBF

参数属性

IRG4IBC20FDPBF 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

305.39 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-7-1 11:43:00

人工找货

IRG4IBC20FDPBF价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

IRG4IBC20FDPBF规格书详情

Features

• Very Low 1.66V votage drop

• 2.5kV, 60s insulation voltage

• 4.8 mm creapage distance to heatsink

• Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes

• Tighter parameter distribution

• Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM outline

• Lead-Free

Benefits

• Simplified assembly

• Highest efficiency and power density

• HEXFREDTM antiparallel Diode minimizes switching losses and EMI

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4IBC20FDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,9A

  • 开关能量:

    250µJ(开),640µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    43ns/240ns

  • 测试条件:

    480V,9A,50 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB 整包

  • 描述:

    IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
22+
N/A
12245
现货,原厂原装假一罚十!
询价
INFINEON/IR
24+
NA
30000
房间原装现货特价热卖,有单详谈
询价
INFINEON/IR
1907+
NA
2500
20年老字号,原装优势长期供货
询价
INFINEON/英飞凌
24+
NA
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
IR
24+
TO-220
32
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
INFINEON/英飞凌
2447
TO-220FP
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
询价
IR原装
25+23+
TO-220
23774
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
IR
21+
TO-220
9852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
询价
IR
24+
TO-220-3
373
询价