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IRG4IBC20FDPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
IRG4IBC20FDPBF |
参数属性 | IRG4IBC20FDPBF 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
封装外壳 | TO-220-3 整包 |
文件大小 |
305.39 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | International Rectifier |
企业简称 |
IRF |
中文名称 | International Rectifier官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-1 11:43:00 |
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IRG4IBC20FDPBF规格书详情
Features
• Very Low 1.66V votage drop
• 2.5kV, 60s insulation voltage
• 4.8 mm creapage distance to heatsink
• Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes
• Tighter parameter distribution
• Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM outline
• Lead-Free
Benefits
• Simplified assembly
• Highest efficiency and power density
• HEXFREDTM antiparallel Diode minimizes switching losses and EMI
产品属性
- 产品编号:
IRG4IBC20FDPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,9A
- 开关能量:
250µJ(开),640µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
43ns/240ns
- 测试条件:
480V,9A,50 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-220AB 整包
- 描述:
IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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