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IRG4IBC20FDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Very Low 1.66V votage drop • 2.5kV, 60s insulation voltage • 4.8 mm creapage distance to heatsink • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel

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IRF

IRG4IBC20FDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4IBC20FDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRG4IBC20FDPBF

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4IBC20FDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,9A

  • 开关能量:

    250µJ(开),640µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    43ns/240ns

  • 测试条件:

    480V,9A,50 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB 整包

  • 描述:

    IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRG4IBC20FDPBF供应商 更新时间2025-10-4 16:20:00