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IRG4IBC30F分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG4IBC30F |
| 参数属性 | IRG4IBC30F 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
223.94 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-10 8:50:00 |
| 人工找货 | IRG4IBC30F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4IBC30F规格书详情
特性 Features
• Very Low 1.59V votage drop
• 2.5kV, 60s insulation voltage
• 4.8 mm creapage distance to heatsink
• Fast: Optimized for medium operating
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20
kHz in resonant mode).
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultrasoft recovery antiparallel diodes
• Tighter parameter distribution
• Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM
outline
Benefits
• Simplified assembly
• Highest efficiency and power density
• HEXFREDTM antiparallel Diode minimizes
switching losses and EMI
产品属性
- 产品编号：
IRG4IBC30FDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，17A
- 开关能量：
630µJ（开），1.39mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
42ns/230ns
- 测试条件：
480V，17A，23 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220AB 整包
- 描述：
IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO |
7000 |
询价 | |||
ir |
24+ |
N/A |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-220 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
17+ |
TO220 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
原厂封装 |
65250 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-220F |
1568 |
10年芯程,只做原装正品现货,欢迎加微信垂询! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-220AB 整包 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ir |
24+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-220F |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220F |
27950 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 |
