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IRG4IBC30F分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG4IBC30F |
| 参数属性 | IRG4IBC30F 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
223.94 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-29 23:00:00 |
| 人工找货 | IRG4IBC30F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4IBC30F规格书详情
特性 Features
• Very Low 1.59V votage drop
• 2.5kV, 60s insulation voltage
• 4.8 mm creapage distance to heatsink
• Fast: Optimized for medium operating
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20
kHz in resonant mode).
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultrasoft recovery antiparallel diodes
• Tighter parameter distribution
• Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM
outline
Benefits
• Simplified assembly
• Highest efficiency and power density
• HEXFREDTM antiparallel Diode minimizes
switching losses and EMI
产品属性
- 产品编号：
IRG4IBC30FDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，17A
- 开关能量：
630µJ（开），1.39mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
42ns/230ns
- 测试条件：
480V，17A，23 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220AB 整包
- 描述：
IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
5236 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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IR |
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TO-220F |
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IR |
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TO-220 |
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IR |
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TO-220F |
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IR |
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IR |
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TO220 |
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ir |
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原厂封装 |
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Infineon Technologies |
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TO-220AB 整包 |
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