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IRG4IBC20UD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRG4IBC20UD
厂商型号

IRG4IBC20UD

参数属性

IRG4IBC20UD 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

230.8 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-1 11:16:00

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IRG4IBC20UD规格书详情

Features

• 2.5kV, 60s insulation voltage

• 4.8 mm creapage distance to heatsink

• UltraFast: Optimized for high operating

frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200

kHz in resonant mode

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultrasoft recovery antiparallel diodes

• Tighter parameter distribution

• Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM

outline

Benefits

• Simplified assembly

• Highest efficiency and power density

• HEXFREDTM antiparallel Diode minimizes

switching losses and EMI

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4IBC20UDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,6.5A

  • 开关能量:

    160µJ(开),130µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    39ns/93ns

  • 测试条件:

    480V,6.5A,50 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB 整包

  • 描述:

    IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP

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