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IRG4IBC20UD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
IRG4IBC20UD |
参数属性 | IRG4IBC20UD 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
封装外壳 | TO-220-3 整包 |
文件大小 |
230.8 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | International Rectifier |
企业简称 |
IRF |
中文名称 | International Rectifier官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-1 11:16:00 |
人工找货 | IRG4IBC20UD价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4IBC20UD规格书详情
Features
• 2.5kV, 60s insulation voltage
• 4.8 mm creapage distance to heatsink
• UltraFast: Optimized for high operating
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
kHz in resonant mode
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultrasoft recovery antiparallel diodes
• Tighter parameter distribution
• Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM
outline
Benefits
• Simplified assembly
• Highest efficiency and power density
• HEXFREDTM antiparallel Diode minimizes
switching losses and EMI
产品属性
- 产品编号:
IRG4IBC20UDPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,6.5A
- 开关能量:
160µJ(开),130µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
39ns/93ns
- 测试条件:
480V,6.5A,50 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-220AB 整包
- 描述:
IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220F |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
IR |
17+ |
TO-220 |
25000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
IR |
2015+ |
TO-220F |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220F |
7300 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2447 |
TO-220FP |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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IR |
23+ |
TO-220F |
12800 |
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IR |
1923+ |
TO-220 |
5000 |
正品原装品质假一赔十 |
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IR |
23+ |
TO220F |
50000 |
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IR |
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