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IRG4IBC20UDPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG4IBC20UDPBF |
| 参数属性 | IRG4IBC20UDPBF 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
313.42 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-13 13:31:00 |
| 人工找货 | IRG4IBC20UDPBF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4IBC20UDPBF规格书详情
特性 Features
• 2.5kV, 60s insulation voltage
• 4.8 mm creapage distance to heatsink
• UltraFast: Optimized for high operating
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
kHz in resonant mode
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultrasoft recovery antiparallel diodes
• Tighter parameter distribution
• Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM
outline
• Lead-Free
Benefits
• Simplified assembly
• Highest efficiency and power density
• HEXFREDTM antiparallel Diode minimizes
switching losses and EMI
产品属性
- 产品编号：
IRG4IBC20UDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，6.5A
- 开关能量：
160µJ（开），130µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
39ns/93ns
- 测试条件：
480V，6.5A，50 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220AB 整包
- 描述：
IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220F |
60000 |
询价 | |||
IR |
24+ |
TO-220F |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220F |
43200 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220F |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
INFINEON/IR |
1907+ |
NA |
1000 |
20年老字号,原装优势长期供货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2447 |
TO-220FP |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
IR |
1923+ |
TO-220 |
5000 |
正品原装品质假一赔十 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
