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IRG4IBC20UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • 2.5kV, 60s insulation voltage • 4.8 mm creapage distance to heatsink • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes • Tighte

文件:313.42 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRG4IBC20UDPBF

2.5kV, 60s insulation voltage

文件:312.3 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRG4IBC20UDPBF_15

2.5kV, 60s insulation voltage

文件:312.3 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRG4IBC20UDPBF

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4IBC20UDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,6.5A

  • 开关能量:

    160µJ(开),130µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    39ns/93ns

  • 测试条件:

    480V,6.5A,50 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB 整包

  • 描述:

    IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
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TO-220F
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更多IRG4IBC20UDPBF供应商 更新时间2025-10-4 14:08:00