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IRG4IBC30KD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4IBC30KD

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 17A 45W TO220FP

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IRG4IBC30KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features •Highswitchingspeedoptimizedforupto25kHz withlowVCE(on) •ShortCircuitRating10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,

IRF

International Rectifier

IRG4IBC30KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT TECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4IBC30KDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT TECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4IBC30KDPBF

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 17A 45W TO220FP

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4IBC30KD

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,16A

  • 开关能量:

    600µJ(开),580µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    60ns/160ns

  • 测试条件:

    480V,16A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    PG-TO220-FP

  • 描述:

    IGBT 600V 17A 45W TO220FP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
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更多IRG4IBC30KD供应商 更新时间2025-7-24 10:12:00