INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • High switching speed optimized for up to 25kHz with low VCE(on) • Short Circuit Rating 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT TECOVERY DIODE

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT TECOVERY DIODE

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IRF

600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a TO-220 FullPak package

600V IGBT 与8-25 kHz 超快、超软恢复反并联二极管联合封装到 TO-220 FullPak 封装中。 • 高开关速度优化，频率可高达 25 kHz，低 VCE(on)\n• 额定短路时间为 10 μs @ 125°C，VGE=15V\n• IGBT 的设计提供更紧凑的参数分布和更高的效率\n• 与 HEXFREDTM 二极管联合封装的 IGBT，在桥配置中使用\n• 行业标准 TO-247 FullPak\n• 无铅\n\n优势:\n• IGBT提供高效率，实现了系统功率密度最大化\n• 针对特定应用条件进行过优化的 IGBT\n• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化，将噪声、EMI 和开关损耗降至最低\n• 为超越同等行业内标准的 IGBT 的功率处理能力而设计;

Infineon

英飞凌

Package：TO-220-3 整包；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 17A 45W TO220FP

Infineon

英飞凌

Package：TO-220-3 整包；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 17A 45W TO220FP

Infineon

英飞凌