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IRG4IBC30KD中文资料600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a TO-220 FullPak package数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRG4IBC30KD

参数属性

IRG4IBC30KD 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 17A 45W TO220FP

功能描述

600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a TO-220 FullPak package
IGBT 600V 17A 45W TO220FP

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-5 15:28:00

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IRG4IBC30KD规格书详情

描述 Description

600V IGBT 与8-25 kHz 超快、超软恢复反并联二极管联合封装到 TO-220 FullPak 封装中。

特性 Features

• 高开关速度优化,频率可高达 25 kHz,低 VCE(on)
• 额定短路时间为 10 μs @ 125°C,VGE=15V
• IGBT 的设计提供更紧凑的参数分布和更高的效率
• 与 HEXFREDTM 二极管联合封装的 IGBT,在桥配置中使用
• 行业标准 TO-247 FullPak
• 无铅

优势:
• IGBT提供高效率,实现了系统功率密度最大化
• 针对特定应用条件进行过优化的 IGBT
• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化,将噪声、EMI 和开关损耗降至最低
• 为超越同等行业内标准的 IGBT 的功率处理能力而设计

应用 Application

• 家用空调
• 风扇
• 照明氙气灯
• 驱动器和泵
• 太阳能
• 不间断电源(UPS)
• 洗衣机
• 焊接

简介

IRG4IBC30KD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4IBC30KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRG4IBC30KD

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 30.0kHz

  • Package 

    :TO-220-3 FP

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :9.2A

  • IC(@25°) max

    :17.0A

  • ICpuls max

    :34.0A

  • Ptot max

    :45.0W

  • VCE(sat) 

    :2.21V 

  • Eon 

    :0.6mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.58mJ 

  • td(on) 

    :60.0ns 

  • tr 

    :42.0ns 

  • td(off) 

    :160.0ns 

  • tf 

    :80.0ns 

  • QGate 

    :67.0nC 

  • IF max

    :34.0A

  • VF 

    :1.4V 

  • Qrr 

    :80.0nC 

  • Irrm 

    :3.5A 

  • Ets  (max)

    :1.185mJ (1.6mJ)

  • VCE max

    :600.0V

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