IRG4IBC30KD 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 INFINEON/英飞凌

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原厂料号:IRG4IBC30KD品牌:Infineon

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IRG4IBC30KD是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商Infineon/Infineon Technologies生产封装NA/TO-220-3 整包的IRG4IBC30KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    IRG4IBC30KD

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    IRF详情

  • 厂商全称:

    International Rectifier

  • 内容页数:

    10 页

  • 文件大小:

    195.54 kb

  • 资料说明:

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

产品属性

更多
  • 类型

    描述

  • 型号

    :IRG4IBC30KD

  • Technology 

    :IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 30.0kHz

  • Package 

    :TO-220-3 FP

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :9.2A

  • IC(@25°) max

    :17.0A

  • ICpuls max

    :34.0A

  • Ptot max

    :45.0W

  • VCE(sat) 

    :2.21V 

  • Eon 

    :0.6mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.58mJ 

  • td(on) 

    :60.0ns 

  • tr 

    :42.0ns 

  • td(off) 

    :160.0ns 

  • tf 

    :80.0ns 

  • QGate 

    :67.0nC 

  • IF max

    :34.0A

  • VF 

    :1.4V 

  • Qrr 

    :80.0nC 

  • Irrm 

    :3.5A 

  • Ets  (max)

    :1.185mJ (1.6mJ)

  • VCE max

    :600.0V

供应商

  • 企业:

    深圳市易讯博科技有限公司

  • 商铺:

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    王小姐

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    深圳市福田区华强北路深纺大厦B座2006