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IRG4IBC30KDPBF中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
IRG4IBC30KDPBF |
| 参数属性 | IRG4IBC30KDPBF 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 600V 17A 45W TO220FP |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 文件大小 |
347.66 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-1 23:00:00 |
IRG4IBC30KDPBF规格书详情
Features
• High switching speed optimized for up to 25kHz
with low VCE(on)
• Short Circuit Rating 10µs @ 125°C, VGE = 15V
• Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
previous generation
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
• Industry standard TO-220 FULLPAK
• Lead-Free
Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available
maximizing the power density of the system
• IGBTs optimized for specific application conditions
• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.
Minimized recovery characteristics reduce noise EMI
• Designed to exceed the power handling capability of
equivalent industry-standard IGBT
产品属性
- 产品编号：
IRG4IBC30KDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，16A
- 开关能量：
600µJ（开），580µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
60ns/160ns
- 测试条件：
480V，16A，23 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220AB 整包
- 描述：
IGBT 600V 17A 45W TO220FP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
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NA |
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