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IRG4BC30KD-SPBF	文件：350.48 Kbytes Page：10 Pages	INSUKATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ul 文件：350.48 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KD-SPBF	文件：376.96 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE 文件：376.96 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
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IRG4BC30KD-STRR	文件：225.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ul 文件：225.23 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KPBF	文件：263.29 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) 文件：263.29 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KPBF	文件：210.45 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT 文件：210.45 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRG4BC30KD-SPBF
功能描述：
IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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