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IRG4BC30WPBF	文件：582.54 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A) 文件：582.54 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30WPBF	文件：287.76 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：287.76 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30WPBF_15	文件：287.76 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：287.76 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30WPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 23A 100W TO220AB	INFINEON 英飞凌	INFINEON

产品属性

产品编号：
IRG4BC30WPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，12A
开关能量：
130µJ（开），130µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/99ns
测试条件：
480V，12A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 23A 100W TO220AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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