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IRG4BH20K-LPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR ( VCES=1200V , VCE(on)typ.=3.17V , @VGE=15V.Ic=5.0A )

Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs @ VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous

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IRG4BH20K-LPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRG4BH20K-LPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRG4BH20K-LPBF

Package:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 11A 60W TO262

INFINEON

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4BH20K-LPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    4.3V @ 15V,5A

  • 开关能量:

    450µJ(开),440µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    23ns/93ns

  • 测试条件:

    960V,5A,50 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

  • 供应商器件封装:

    TO-262

  • 描述:

    IGBT 1200V 11A 60W TO262

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更多IRG4BH20K-LPBF供应商 更新时间2026-10-3 10:29:00