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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市美思瑞电子科技有限公司

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深圳市坤融电子科技有限公司

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深圳市金芯阳科技有限公司

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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飞利飞科技有限公司

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深圳市盈慧通电子有限公司

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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MMBTA42LT1G

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深圳市南科功率半导体有限公司

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MMBTA42LT1GSMBTA42

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深圳市中联芯电子有限公司

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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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深圳市宇创芯科技有限公司

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深圳市拓亿芯电子有限公司

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MMBTA42 T/R功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel

MMBTA42,215功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MMBTA42_D87Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MMBTA42_Q功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MMBTA42-7功能描述:两极晶体管 - BJT 300V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MMBTA42-7-F功能描述:两极晶体管 - BJT 300V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MMBTA42LT1功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 200V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MMBTA42LT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MMBTA42LT1HTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR NPN 300V SOT-23

产品属性

  • 产品编号：

    MMBTA42

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    500mV @ 2mA，20mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 30mA，10V

  • 频率 - 跃迁：

    50MHz

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商器件封装：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3

晶体管资料

  • 型号：

    MMBTA42

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_通用 （G）

  • 封装形式：

  • 极限工作电压：

    300V

  • 最大电流允许值：

    0.5A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

  • 可代换的型号：

  • 最大耗散功率：

    0.3W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    NO

  • vtest：

    300

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.5

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