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MMBTA42LT1G	文件：857.72 Kbytes Page：38 Pages	AT90USB1287 (AVR) 64 QFN device (2.7V VCC 5.5V) Overview ThisdocumentdescribestheAT88CK109STK3,whichisadevelopmentkitfortheAT88SA100,AT88SA102,andATSA8810HSCryptoAuthenticationdevices.Thiskitusesamodularapproach.ThedevelopmentkitincludestheAT88MicrobaseboardandtheAT88CK109BK3CryptoAuthenticationdaughterboard	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
MMBTA42LT1G	文件：127.24 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBTA42LT1G	文件：54.25 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBTA42LT1G	文件：112.07 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBTA42LT1G	文件：95.33 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBTA42LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBTA42LT1G_10	文件：112.07 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBTA42LT1G_11	文件：95.33 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
AV42LT1	文件：311.5 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR竊?NPN竊	AVICTEKAvic Technology Avic Technology
LMBTA42LT1	文件：81.61 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LMBTA42LT1G	文件：389.02 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistorsRoHSrequirements.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LMBTA42LT1G	文件：498.4 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageTransistors	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
LMBTA42LT1G	文件：81.61 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
MMBTA42LT1	文件：60.61 Kbytes Page：8 Pages	HighVoltageTransistorNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBTA42LT1	文件：34.14 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITACIALPLANARTRANSISTOR Description HighVoltageTransistor	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd
MMBTA42LT1	文件：163.63 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR HIGHVOLTGETRANDIDTOR •ComplementtoMMBTA92LT1 •HighCollector-EmitterVoltage:Vcbo=300V •Collectorcurrent:Ic=500mA •CollectorDissipation:Pc=225mW(Ta=25°C)	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司
MMBTA42LT1	文件：684.43 Kbytes Page：36 Pages	EvaluationBoardRev5.0fortheSi2493/57/34/15/04 Description TheglobalSi2493/57/34/15/04-EVBevaluationboardRev5.0providesthesystemdesigneraneasywayofevaluatingtheSi2493/57/34/15/04ISOmodem®.TheSi2493/57/34/15/04-EVBconsistsofamotherboardwithapowersupply,anRS-232andUSBinterface,otherease-of-usefeatures,anda	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司
MMBTA42LT1	文件：152.1 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MMBTA42LT1	文件：99.45 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageTransistors(NPNSilicon) HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBTA42LT1	文件：102.22 Kbytes Page：3 Pages	HighVoltageTransistors(NPNSilicon) HighVoltageTransistors NPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司

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产品属性

产品编号：
MMBTA42LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 2mA，20mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 30mA，10V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3

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上海专毅电子科技有限公司	MMBTA42LT1G	ON	21+	SOT23	40000	专营ON大量进口原装现货,假一罚万,QQ:505546343电话17621633780	询价
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