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深圳市金泰福电子科技有限公司

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深圳市金泰福电子科技有限公司

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CJ/长晶SOT-23

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长晶全系列二三极管原装优势供应,欢迎询价

深圳市宇集芯电子有限公司

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MMBT5551-7-F

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DIODESSOT-23-3

90000

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百分百进口原装正品现货，假一罚十价格合理

北京三盛恒业电子有限公司

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北京三盛恒业电子有限公司

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MMBT5551LT1G

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ON/安森美贴

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只做原装 实单必成

深圳市明嘉莱科技有限公司

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CJ/长电SOT23

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明嘉莱只做原装正品现货

深圳市中飞芯源科技有限公司

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CJSOT-23

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原装，可配单

深圳市美思瑞电子科技有限公司

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UMW 友台SOT-23-3

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原装正品，实单请联系

中天科工半导体（深圳）有限公司

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CJ/长电SOT23

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热卖原装现货

深圳市誉腾达半导体科技有限公司

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KFN/A

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公司只有原装

深圳市智连鑫科技有限公司

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CJSOT-23

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只做现货

美源芯科（深圳）电子科技有限公司

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CJ/长电SOT-23

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深圳市科芯源微电子有限公司

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MMBT5551

PANJIT/强茂SOT-23

100586

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全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!

深圳市永贝尔科技有限公司

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CJ(江苏长电/长晶)N/A

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全新原装正品

深圳市卓越微芯电子有限公司

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ONSOT-23

18600

2020+

百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳好佳好科技有限公司

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长电/LRCSOT23

16850

1912+

全新原装优势绝对有货,价格谈到可以做到

深圳市明嘉莱科技有限公司

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FairchildNA

518000

22+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市明嘉莱科技有限公司

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JESTEK江智-

918000

23+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市跃创芯科技有限公司

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MMBT5551

CJ/长电SOT23

60000

21+

绝对原装正品现货,假一罚十

深圳诚思涵科技有限公司

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深圳诚思涵科技有限公司

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MMBT5551

银河SOT-23

21000

23+

公司现货库存,有挂就有货,支持实单

深圳市昌和盛利电子有限公司

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MMBT5551

原厂封装

20839

23+

专注原装正品现货特价中量大可定

深圳市科恒伟业电子有限公司

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MMBT5551

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7500

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MMBT5551-7-F价格

MMBT5551-7-F价格：￥0.0848品牌：Diodes

生产厂家品牌为Diodes的MMBT5551-7-F多少钱，想知道MMBT5551-7-F价格是多少？参考价：￥0.0848。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，MMBT5551-7-F批发价格及采购报价，MMBT5551-7-F销售排行榜及行情走势，MMBT5551-7-F报价。

MMBT5551资讯

MMBT5551M3T5G 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 160 V 60 mA 265 mW

MMBT5551M3T5G晶体管

MMBT5551G-SOT23.3R-B-TG

MMBT5551G-SOT23.3R-B-TG

MMBT5551

MMBT5551

MMBT5551,5401,3906....

原装LRC，可提供样品，也可以接受大批量订货··

MMBT5551中文资料Alldatasheet PDF

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MMBT5551功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MMBT5551_Q功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MMBT5551-7功能描述:两极晶体管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MMBT5551-7-F功能描述:两极晶体管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MMBT5551-G功能描述:射频双极电源晶体管 VCEO=160V IC=600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray

MMBT5551LT1功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MMBT5551LT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MMBT5551LT1H制造商:ON Semiconductor

MMBT5551LT3功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MMBT5551LT3G功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    MMBT5551

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    200mV @ 5mA，50mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    50nA（ICBO）

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 10mA，5V

  • 频率 - 跃迁：

    100MHz

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商器件封装：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

晶体管资料

  • 型号：

    MMBT5551

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_宽频带放大 （A）

  • 封装形式：

  • 极限工作电压：

    180V

  • 最大电流允许值：

    0.6A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

  • 可代换的型号：

  • 最大耗散功率：

    0.3W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    NO

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    180

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