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IRG4BC40SPBF	文件：582.17 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT Features •Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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IRG4BC40SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 160W TO220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC40SPBF_15	文件：306.65 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
G4BC40S	文件：157.2 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.32V,@Vge=15V,Ic=31A) Features •Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
G4BC40U	文件：169.87 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.72V,@Vge=15V,Ic=20A) Features •UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Gener	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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IRG4BC40F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC40F	文件：167.96 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.50V,@Vge=15V,Ic=27A) Features •Fast:optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Genera	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC40FD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC40FPBF	文件：260.22 Kbytes Page：8 Pages	FastSpeedIGBTINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORFastSpeedIGBT Benefits •Generation4IGBTsofferhighestefficiencyavailable •IGBTsoptimizedforspecifiedapplicationconditions •Designedtobeadrop-inreplacementforequivalentindustry-standardGeneration3IRIGBTs Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhards	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC40K	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC40K	文件：156.96 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.1V,@Vge=15V,Ic=25A) Features •ShortCircuitRatedUltraFast:optimizedforhigh operatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuit Ratedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiency thanGeneration3 •IndustrystandardTO-247ACpackage Benefits •Generation4IGB	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC40KD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC40KPBF	文件：574.4 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •ShortCircuitRatedUltraFast:optimizedforhigh operatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuit Ratedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiency thanGeneration3 •IndustrystandardTO-247ACpackage •Lead-Free Benefits •Gen	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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IRG4BC40MD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC40S	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC40S	文件：157.2 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.32V,@Vge=15V,Ic=31A) Features •Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC40SD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

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产品属性

产品编号：
IRG4BC40SPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.5V @ 15V，31A
开关能量：
450µJ（开），6.5mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/650ns
测试条件：
480V，31A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 60A 160W TO220AB

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更多IRG4BC40SPBF供应商更新时间2024-4-27 10:08:00

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