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IRG4BC40W-LPBF

Package:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 40A TO262

INFINEON

英飞凌

IRG4BC40WPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件:283.94 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRG4BC40WPBF

ISSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT

文件:207.81 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRG4BC40WS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT

文件:343.85 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4BC40W-LPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    110µJ(开),230µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    27ns/100ns

  • 测试条件:

    480V,20A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

  • 供应商器件封装:

    TO-262

  • 描述:

    IGBT 600V 40A TO262

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon
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TO-262
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