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IRG4BC40WS | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT 文件：343.85 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT 文件：357.47 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：357.47 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：357.47 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
IRG4BC40WS | 600V Warp 60-150 kHz 分立 IGBT，采用 D2Pak 封装 | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- Technology ：
IGBT Gen 4
- Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
- Package ：
D2PAK (TO-263)
- Voltage Class max：
600.0V
- IC(@100°) max：
20.0A
- IC(@25°) max：
40.0A
- ICpuls max：
160.0A
- Ptot max：
160.0W
- VCE(sat) ：
2.05V
- Eon ：
0.11mJ
- Eoff(Hard Switching) ：
0.23mJ
- td(on) ：
30.0ns
- tr ：
19.0ns
- td(off) ：
220.0ns
- tf ：
160.0ns
- QGate ：
28.0nC
- Ets (max)：
0.34mJ (0.45mJ)
- Moisture Sensitivity Level ：
1
- Switching Frequency ：
Gen 4 8-30 kHz
- VCE max：
600.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
1415+ |
TO-263 |
28500 |
全新原装正品,优势热卖 |
询价 | ||
IR |
25+ |
TO-263-3 |
5000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
3000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
2023+ |
D2-PAK |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOT263 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOT263 |
7000 |
询价 | |||
IR |
24+ |
TO-263 |
30000 |
只做正品原装现货 |
询价 | ||
ir |
23+ |
NA |
986 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
ir |
25+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
询价 |
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