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IRG4BC30KD-STRR中文资料IRF数据手册PDF规格书

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厂商型号

IRG4BC30KD-STRR

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

文件大小

225.23 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

IRF

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 16:10:00

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IRG4BC30KD-STRR规格书详情

特性 Features

• High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V

• Combines low conduction losses with high switching speed

• tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes

Benefits

• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristic reduce noise, EMI and switching losses

• This part replaces the IRGBC30KD2-S and IRGBC30MD2-S products

• For hints see design tip 97003

产品属性

  • 型号:

    IRG4BC30KD-STRR

  • 功能描述:

    IGBT W/DIODE 600V 28A RGHT D2PAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    30

  • 系列:

    GenX3™ IGBT

  • 类型:

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大):

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开):

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大):

    200A 功率 -

  • 最大:

    830W

  • 输入类型:

    标准

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商设备封装:

    PLUS247?-3

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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