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IRG4BC30KD-STRR中文资料IRF数据手册PDF规格书

厂商型号 |
IRG4BC30KD-STRR |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) |
文件大小 |
225.23 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | International Rectifier |
企业简称 |
IRF |
中文名称 | International Rectifier官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-2 23:00:00 |
人工找货 | IRG4BC30KD-STRR价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4BC30KD-STRR规格书详情
特性 Features
• High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V
• Combines low conduction losses with high switching speed
• tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes
Benefits
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible
• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristic reduce noise, EMI and switching losses
• This part replaces the IRGBC30KD2-S and IRGBC30MD2-S products
• For hints see design tip 97003
产品属性
- 型号:
IRG4BC30KD-STRR
- 功能描述:
IGBT W/DIODE 600V 28A RGHT D2PAK
- RoHS:
否
- 类别:
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列:
-
- 标准包装:
30
- 系列:
GenX3™ IGBT
- 类型:
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿(最大):
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce(开):
3V @ 15V,100A 电流 -
- 集电极(Ic)(最大):
200A 功率 -
- 最大:
830W
- 输入类型:
标准
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商设备封装:
PLUS247?-3
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
9650 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-263 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
11+ |
TO-263 |
800 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
28000 |
原装正品 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
6400 |
只做原装假一赔十 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-220 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 |