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IRG4BC30FD-SPBF
厂商型号

IRG4BC30FD-SPBF

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

文件大小

1.17757 Mbytes

页面数量

12

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 20:00:00

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IRG4BC30FD-SPBF规格书详情

特性 Features

• Fast: Optimized for medium operating frequencies

(1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).

• Generation 4 IGBT design provides tighter .

parameter distribution and higher efficiency than

Generation 3.

• IGBT co-packaged with Hyperfast FRED diodes for ultra low

recovery characteristics.

• Lead-Free.

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available

• IGBTs optimized for specific application conditions

• FRED diodes optimized for performance with IGBTs.

Minimized recovery characteristics require less / no

snubbing.

• Designed to be a drop-in replacement for equivalent

industry-standard Generation 3 IR IGBTs.

产品属性

  • 型号:

    IRG4BC30FD-SPBF

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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