首页>IRG4BC30FD1PBF>规格书详情

IRG4BC30FD1PBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRG4BC30FD1PBF
厂商型号

IRG4BC30FD1PBF

参数属性

IRG4BC30FD1PBF 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 31A 100W TO220AB

功能描述

Fast CoPack IGBT

封装外壳

TO-220-3

文件大小

421.57 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
IRF
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-8-4 19:10:00

人工找货

IRG4BC30FD1PBF价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

IRG4BC30FD1PBF规格书详情

特性 Features

• Fast: Optimized for medium operating frequencies

(1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).

• Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

Generation 3

• IGBT co-packaged with Hyperfast FRED diodes for ultra low

recovery characteristics.

• Industry standard TO-247AB package

• Lead-Free

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available

• IGBTs optimized for specific application conditions

• FRED diodes optimized for performance with IGBTs.

Minimized recovery characteristics require less / no

snubbing

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4BC30FD1PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,17A

  • 开关能量:

    370µJ(开),1.42mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    22ns/250ns

  • 测试条件:

    480V,17A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 31A 100W TO220AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
NA
990000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
INFINEON/英飞凌
21+
NA
12820
只做原装,质量保证
询价
INFINEON/英飞凌
23+
NA
25630
原装正品
询价
Infineon Technologies
25+
TO-220-3
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
INFINEON/英飞凌
22+
N/A
12245
现货,原厂原装假一罚十!
询价
IR
24+
TO-220-3
96
询价
IR
2450+
TO220
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价
INFINEON/英飞凌
24+
NA
43250
郑重承诺只做原装进口现货
询价
ir
24+
500000
行业低价,代理渠道
询价
Infineon Technologies
22+
TO220AB
9000
原厂渠道,现货配单
询价