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IRG4BC30FDPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
IRG4BC30FDPBF |
参数属性 | IRG4BC30FDPBF 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 31A 100W TO220AB |
功能描述 | Fast CoPack 1GBT ( VCES = 600V , VCE(on)typ. = 1.59V , VGE = 15V , IC = 17A ) |
封装外壳 | TO-220-3 |
文件大小 |
3.17753 Mbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | International Rectifier |
企业简称 |
IRF |
中文名称 | International Rectifier官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 19:10:00 |
人工找货 | IRG4BC30FDPBF价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4BC30FDPBF规格书详情
Fast CoPack IGBT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
特性 Features
• Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode).
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
• Industry standard TO-220AB package
• Lead-Free
产品属性
- 产品编号:
IRG4BC30FDPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.8V @ 15V,17A
- 开关能量:
630µJ(开),1.39mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
42ns/230ns
- 测试条件:
480V,17A,23 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 31A 100W TO220AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
25+ |
TO-220-3 |
9350 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220-3 |
592 |
询价 | |||
IR |
2450+ |
TO220 |
8850 |
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IR |
24+ |
TO220 |
27950 |
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询价 | ||
ir |
24+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
INFINEON/英飞凌 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |