IRG4BC30中文资料PDF规格书
厂商型号 |
IRG4BC30 |
参数属性 | IRG4BC30 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 31A 100W TO220AB |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A) |
文件大小 |
412.64 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | International Rectifier |
企业简称 |
IRF【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-4-29 10:23:00 |
IRG4BC30规格书详情
Features
• Fast: Optimized for medium operating
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20
kHz in resonant mode).
• Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
• Industry standard TO-220AB package
Benefits
• Generation -4 IGBTs offer highest efficiencies
available
• IGBTs optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with
IGBTs . Minimized recovery characteristics require
less/no snubbing
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBTs
产品属性
- 产品编号:
IRG4BC30FD1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
卷带(TR)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.8V @ 15V,17A
- 开关能量:
370µJ(开),1.42mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
22ns/250ns
- 测试条件:
480V,17A,23 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 31A 100W TO220AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-263 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
IR |
23+ |
589610 |
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IR |
2022+ |
TO-263 |
5000 |
全现原装公司现货 |
询价 | ||
ir |
dc14 |
原厂封装 |
1000 |
INSTOCK:50/tube/dpak |
询价 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
NA |
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IR |
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D2PAK |
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TO-220 |
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IR |
TO-263 |
12000 |
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IR |
23+24 |
TO-263 |
29840 |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
询价 |
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