| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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9986 |
20+ |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
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IRTO-263 |
6400 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
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800 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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IRTO-263 |
6400 |
24+ |
只做原装假一赔十 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌D2PAK |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-262 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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INFINEONTO-263 |
6400 |
15+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-220 |
6000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市纳睿斯电子科技有限公司2年
留言
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20000 |
23+ |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRTO-220-3 |
750 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
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INFINEON/英飞凌to-220 |
1000 |
20+ |
进口原装支持含税 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3) |
18339 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
50000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
500 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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原厂原包原装 |
38560 |
2022+ |
原装进口现货,工厂客户可以放款。17377264928微信同 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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Infineon/英飞凌TO-220 |
8000 |
2017+ |
原装正品现货,可开13点税 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
9986 |
20+ |
IRG4BC30采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRG4BC30图片
IRG4BC30KD-SPBF价格
IRG4BC30KD-SPBF价格：￥10.4994品牌：International
生产厂家品牌为International的IRG4BC30KD-SPBF多少钱，想知道IRG4BC30KD-SPBF价格是多少？参考价：￥10.4994。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRG4BC30KD-SPBF批发价格及采购报价，IRG4BC30KD-SPBF销售排行榜及行情走势，IRG4BC30KD-SPBF报价。
IRG4BC30K-STRR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4BC30制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
IRG4BC30F功能描述:IGBT FAST 600V 31A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC30FD制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220
IRG4BC30FD1功能描述:IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC30FD1PBF功能描述:IGBT 晶体管 600V Fast 1-5kHz >20kHz resonant mode RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC30FDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC30FD-S功能描述:IGBT W/DIODE 600V 31A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC30FD-SPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC30FD-STRL制造商:International Rectifier 功能描述:600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT IN A D2-PAK PACKAGE - Tape and Reel
IRG4BC30FD-STRR功能描述:DIODE IGBT 600V 31A COPAK D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
