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IRG4BC30W-S	文件：188.51 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A) Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT de 文件：188.51 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30W-SPBF	文件：585.84 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT 文件：585.84 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30W-SPBF	文件：275.6 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：275.6 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30W-SPBF_15	文件：275.6 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：275.6 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30W-S	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V Warp 60-150 kHz 分立 IGBT，采用 D2-Pak 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC30W-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 23A 100W D2PAK	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC30W-STRL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 23A 100W D2PAK	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC30W-STRLP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 23A 100W D2PAK	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4BC30W-S
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，12A
开关能量：
130µJ（开），130µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/99ns
测试条件：
480V，12A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D2PAK
描述：
IGBT 600V 23A 100W D2PAK

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