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IRG4BC30W-S中文资料600V Warp 60-150 kHz 分立 IGBT,采用 D2-Pak 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRG4BC30W-S

参数属性

IRG4BC30W-S 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 23A 100W D2PAK

功能描述

600V Warp 60-150 kHz 分立 IGBT,采用 D2-Pak 封装
IGBT 600V 23A 100W D2PAK

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 10:19:00

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IRG4BC30W-S规格书详情

应用 Application

• 家用空调
• 洗碗机
• PFC
• 洗衣机

简介

IRG4BC30W-S属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4BC30W-S晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

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  • 制造商编号

    :IRG4BC30W-S

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 30.0kHz

  • Package 

    :D2PAK (TO-263)

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :12.0A

  • IC(@25°) max

    :23.0A

  • ICpuls max

    :92.0A

  • Ptot max

    :100.0W

  • VCE(sat) 

    :2.1V 

  • Eon 

    :0.13mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.13mJ 

  • td(on) 

    :20.0ns 

  • tr 

    :13.0ns 

  • td(off) 

    :180.0ns 

  • tf 

    :140.0ns 

  • QGate 

    :100.0nC 

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Ets  (max)

    :0.26mJ (0.35mJ)

  • Switching Frequency 

    :Gen 4 8-30 kHz

  • VCE max

    :600.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
23+
TO-263
35890
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Infineon
1931+
N/A
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IR
23+24
TO-263
29840
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管
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TO-263
50000
原装现货
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原装现货假一罚十
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