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IRG4BC30FD中文资料600V Fast 1-8 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRG4BC30FD

参数属性

IRG4BC30FD 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 31A 100W TO220AB

功能描述

600V Fast 1-8 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package
IGBT 600V 31A 100W TO220AB

封装外壳

TO-220-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 10:31:00

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IRG4BC30FD规格书详情

描述 Description

600V IGBT 与快速 1-8 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-220AB 封装中。

特性 Features

• 对中等工作频率进行了优化
• 参数分布更紧凑,效率更高
• 与 HEXFREDTM 超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT,在桥配置中使用
• 行业标准 TO-220AB 封装
• 无铅

优势:
• IGBT 提供可实现的出色效率
• 针对特定应用条件进行过优化的 IGBT
• HEXFRED 二极管与 IGBT 并用优化。恢复特性最小化,对缓冲的要求更少甚至不需要。
• 旨在“直接替代”同等行业内标准的第三代 IR IGBT

应用 Application

• 家用空调
• 家用电器
• 驱动器和泵

简介

IRG4BC30FD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4BC30FD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRG4BC30FD

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max

    :1.0kHz 8.0kHz

  • Package 

    :TO-220

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :17.0A

  • IC(@25°) max

    :31.0A

  • ICpuls max

    :124.0A

  • Ptot max

    :100.0W

  • VCE(sat) 

    :1.59V 

  • Eon 

    :0.63mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :1.39mJ 

  • td(on) 

    :42.0ns 

  • tr 

    :26.0ns 

  • td(off) 

    :230.0ns 

  • tf 

    :160.0ns 

  • QGate 

    :51.0nC 

  • IF max

    :120.0A

  • VF 

    :1.4V 

  • Qrr 

    :80.0nC 

  • Irrm 

    :3.5A 

  • Ets  (max)

    :2.02mJ (3.9mJ)

  • VCE max

    :600.0V

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