IRG4BC30FD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

600V IGBT 与快速 1-8 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-220AB 封装中。

特性 Features

• 对中等工作频率进行了优化
• 参数分布更紧凑，效率更高
• 与 HEXFREDTM 超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT，在桥配置中使用
• 行业标准 TO-220AB 封装
• 无铅

优势:
• IGBT 提供可实现的出色效率
• 针对特定应用条件进行过优化的 IGBT
• HEXFRED 二极管与 IGBT 并用优化。恢复特性最小化，对缓冲的要求更少甚至不需要。
• 旨在“直接替代”同等行业内标准的第三代 IR IGBT

应用 Application

• 家用空调
• 家用电器
• 驱动器和泵

简介

IRG4BC30FD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4BC30FD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。