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IRG4BC20FD-SPBF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
IRG4BC20FD-SPBF |
参数属性 | IRG4BC20FD-SPBF 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 16A 60W D2PAK |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT |
封装外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 8:02:00 |
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IRG4BC20FD-SPBF规格书详情
简介
IRG4BC20FD-SPBF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4BC20FD-SPBF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
IRG4BC20FD-SPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,9A
- 开关能量:
250µJ(开),640µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
43ns/240ns
- 测试条件:
480V,9A,50 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:
D2PAK
- 描述:
IGBT 600V 16A 60W D2PAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
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