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IRG4BC10SD中文资料INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
IRG4BC10SD |
| 参数属性 | IRG4BC10SD 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 14A 38W TO220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 12:01:00 |
| 人工找货 | IRG4BC10SD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4BC10SD规格书详情
简介
IRG4BC10SD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4BC10SD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IRG4BC10SD
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，8A
- 开关能量：
310µJ（开），3.28mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
76ns/815ns
- 测试条件：
480V，8A，100 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 14A 38W TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
IR |
23+ |
D2-Pak |
21368 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
2450+ |
TO-220 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
IR |
2015+ |
TO-220AB |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
询价 | ||
IR |
1923+ |
TO-220 |
6896 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
TO-220 |
28951 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 |
