IRG4BC10SD资料datasheet下载供应商报价IRF-114ic电子网

首页 >IRG4BC10SD>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IRG4BC10SD	文件：313.96 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Standard Speed CoPack IGBT Features • Extremely low voltage drop 1.1Vtyp. @ 2A • S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. • Very Tight Vce(on) distribution • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-so 文件：313.96 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC10SDPBF	文件：267.75 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Standard Speed CoPack IGBT Features • Extremely low voltage drop 1.1Vtyp. @ 2A • S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. • Very Tight Vce(on) distribution • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-so 文件：267.75 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC10SD-L	文件：217.3 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A) 文件：217.3 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRG4BC10SD-L	文件：217.89 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：217.89 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRG4BC10SD-LPBF	文件：313.31 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：313.31 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRG4BC10SD-S	文件：217.3 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A) 文件：217.3 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRG4BC10SD-S	文件：217.89 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：217.89 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRG4BC10SD-SPBF	文件：313.31 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：313.31 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRG4BC10SD	文件：300 bytes Page：1 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC10SD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 14A 38W TO220AB	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4BC10SD
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，8A
开关能量：
310µJ（开），3.28mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
76ns/815ns
测试条件：
480V，8A，100 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 14A 38W TO220AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科恒伟业电子有限公司	IRG4BC10SD	IR	2450+	TO-220	9850	只做原装正品现货或订货假一赔十!	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRG4BC10SD	IR	24+	TO-220AB	8866		询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRG4BC10SD	IR	2015+	TO-220AB	12500	全新原装,现货库存长期供应	询价
深圳市华来深电子有限公司	IRG4BC10SD	IR	23+	TO-220	8650	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	IRG4BC10SD	IR	25+23+	TO-220	28951	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	IRG4BC10SD	IR	23+	TO-220	30000	全新原装现货,价格优势	询价
深圳市科雨电子有限公司	IRG4BC10SD	INFINEON	25+	TO-220	3000	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	IRG4BC10SD	IR	1923+	TO-220	6896	原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货	询价
深圳市易讯博科技有限公司	IRG4BC10SD	Infineon	22+	NA	2118	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRG4BC10SD	IR	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多IRG4BC10SD供应商更新时间2025-10-13 10:38:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号