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IRG4BC10SD-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)

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IRF

IRG4BC10SD-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRG4BC10SD-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件:313.31 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRG4BC10SD-S

600V DC-1 kHz (Standard) Copack IGBT in a D2-Pak package

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Technology :

    IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max:

    1.0kHz 1.0kHz

  • Package :

    D2PAK (TO-263)

  • Voltage Class max:

    600.0V

  • IC(@100°) max:

    8.0A

  • IC(@25°) max:

    14.0A

  • ICpuls max:

    18.0A

  • Ptot max:

    38.0W

  • VCE(sat) :

    1.58V 

  • Eon :

    0.31mJ 

  • Eoff(Hard Switching) :

    3.28mJ 

  • td(on) :

    76.0ns 

  • tr :

    32.0ns 

  • td(off) :

    815.0ns 

  • tf :

    720.0ns 

  • QGate :

    15.0nC 

  • IF max:

    18.0A

  • VF :

    1.5V 

  • Qrr :

    40.0nC 

  • Irrm :

    2.9A 

  • Ets  (max):

    3.6mJ (10.9mJ)

  • Moisture Sensitivity Level :

    1

  • VCE max:

    600.0V

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
24+
D2-Pak
8866
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2015+
D2-Pak
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全新原装正品现货,支持订货
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更多IRG4BC10SD-S供应商 更新时间2025-11-30 16:30:00