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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRG4BC10SD-LPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：313.31 Kbytes 页数：12 Pages | IRF | IRF | |
IRG4BC10SD-LPBF | Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 14A 38W TO262 | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Standard Speed CoPack IGBT Features • Extremely low voltage drop 1.1Vtyp. @ 2A • S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. • Very Tight Vce(on) distribution • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-so 文件：267.75 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：217.89 Kbytes 页数：12 Pages | IRF | IRF | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A) 文件：217.3 Kbytes 页数：12 Pages | IRF | IRF |
产品属性
- 产品编号：
IRG4BC10SD-LPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，8A
- 开关能量：
310µJ（开），3.28mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
76ns/815ns
- 测试条件：
480V，8A，100 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商器件封装：
TO-262
- 描述：
IGBT 600V 14A 38W TO262
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-262-3 |
245 |
询价 | |||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
IR |
25+ |
TO-262 |
6000 |
现货 |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
TO-262 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
25+ |
TO-262 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
2022+ |
TO-262 |
6000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
IR |
10+ |
TO-262 |
300 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 |
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