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IRG4BC20SD-SPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIOD 文件：512.049 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Standard: optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies ( 文件：195.96 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：285.84 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A) Features • UltraFast: optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Gener 文件：167.82 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF |
详细参数
- 型号：
IRG4BC20SD-SPBF
- 功能描述：
IGBT 晶体管 600V DC-1kHz
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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21+ |
TO263 |
60000 |
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IR |
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TO-263 |
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IR |
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TO263 |
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绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
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